韓国のサムスン電子は、次世代半導体製造技術を巡りオランダの装置大手ASMLとの協力を拡大する。サムスンはASMLが主導する「Large Size Mask Consortium」に参画し、12インチ・フォトマスクの共同開発に取り組むとともに、2028年までに先端DRAMの製造工程へHigh NA EUV（高開口数EUV）を導入することを目標に技術連携を強める。メモリーとファウンドリーの両分野で微細化競争力を高める狙いだ。発表は9月8日に行われた。
同コンソーシアムは、現在の露光工程で主流の6インチ・フォトマスクを12インチへ拡大するための国際的な枠組み。参加各社は、露光装置やフォトマスクの技術動向を共有し、共同研究や標準策定を進める。サムスンは、ASMLとの協業領域を装置の調達にとどめず、マスク大口径化というプロセス基盤技術の確立と関連エコシステムの構築へと広げる。
フォトマスクは、半導体の回路パターンを刻んだ原板で、露光装置が光を用いてウェハー上に回路を形成する際に用いられる。回路の線幅が狭まるほど、精緻なパターンを安定して再現できるかが製品性能や歩留まりを左右する。High NA EUVは、従来のEUVより高い開口数（NA）で、より微細なパターン形成を可能にする次世代露光技術だ。
6インチ・マスク環境では、大きな回路領域を分割して露光し、境界をつなぎ合わせる「スティッチング」に起因する制約が生じる場合がある。サムスンは、マスクの大口径化によりこうした制約を緩和し、High NA EUVの適用範囲を広げつつ生産効率の改善が見込めると説明する。特にトランジスタを高密度に配置する先端デバイスでは、12インチ・マスクとHigh NA EUVの組み合わせが、工程効率やコスト競争力の向上に資すると位置づける。
サムスンは、メモリーとファウンドリーを併営して蓄積したEUV量産の経験を基に、12インチ・フォトマスクの研究や関連エコシステムづくりに関与する方針だ。また、同社は半導体事業を担うデバイスソリューション（DS）部門の事業所全景を示す写真も公表した。
ASMLとの連携はマスク分野にとどまらない。サムスンは、2028年までに先端DRAMの製造工程へHigh NA EUVを導入することを目指し、同技術の実装に向けた協力を深める。High NA EUVがメモリー量産に本格適用されれば、より精緻なパターニングが可能となり、従来は複数回に分けて実施していた一部工程の簡素化や生産性向上につながる可能性がある。
AIの普及で高性能・大容量メモリー需要が伸びる中、各社は微細化技術の確保にしのぎを削っている。微細化を進めながら歩留まりと製造コストを両立する力は、今後の半導体製造競争力を左右する中核要件だ。サムスンの全英賢（ジョン・ヨンヒョン）代表取締役副会長は、AI時代を迎えて半導体産業全体で技術革新の重要性が増しているとし、ファウンドリーとメモリーを含む先端製造の競争力を強化し、ASMLとの協力を通じ「Next AI」に向けた技術基盤を築く考えを示した。ASMLのクリストフ・フーケCEOも、サムスンを長年のイノベーション・パートナーと評価し、AIが牽引する新たな市場環境で次世代製造技術の開発を共に進める姿勢を示している。
韓国で進む今回の取り組みは、日本の半導体素材・装置企業や政策当局にとっても注視対象となる。12インチ・マスクやHigh NA EUVの適用拡大に向けた技術課題と標準化の動きは、サプライチェーン全体の要件や開発優先度に影響を与え得るためだ。日韓のサプライヤー間の相互依存関係を踏まえれば、プロセス変革に関わる装置・材料の仕様や評価手法の整備が業界横断で問われる局面も想定される。
サムスンとASMLは、今後、先端メモリーや新たな製造アプローチへ協力分野を広げる方針を掲げる。AI半導体市場の拡大に伴い微細化の難度が上がる中、12インチ・フォトマスクとHigh NA EUVが、サムスンの次世代メモリーおよびファウンドリーの競争力を下支えする中核技術として定着するかが焦点となる。今回の協力拡大は、次世代半導体製造の商用化に向けた実務的な一歩として位置づけられる。
